BSM35GD120DN2 IGBT -module: volledige gids en technische uitsplitsing

Apr13

Doorbladeren: 244

De BSM35GD120DN2 is een 1200V, 50A IGBT -stroommodule die oorspronkelijk is ontwikkeld door EUPEC en nu geproduceerd onder Infineon Technologies.Bekend om zijn solide prestaties in medium-power systemen, deze module wordt veel gebruikt in Motoraandrijvingen, omvormers en industriële stroomopstellingen.Het biedt sterk thermische regeling, geïntegreerde snelle diodes en een compact pakket, maken het betrouwbaar voor apparatuur die stabiel en efficiënt vermogen nodig heeft schakelen.

Catalogus

1. BSM35GD120DN2 Overzicht

2. BSM35GD120DN2 -functies

3. BSM35GD120DN2 Maximale beoordelingen

4. BSM35GD120DN2 Elektrische kenmerken

5. BSM35GD120DN2 Circuitdiagram

6. BSM35GD120DN2 -pakketoverzicht

7. BSM35GD120DN2 -alternatieven

8. BSM35GD120DN2 -toepassingen

9. BSM35GD120DN2 PROS EN CONS

10. Fabrikant

11. Conclusie

BSM35GD120DN2 IGBT Module: Complete Guide and Technical Breakdown

BSM35GD120DN2 -overzicht

De BSM35GD120DN2 is een zeer efficiënte IGBT-stroommodule die oorspronkelijk is gemaakt door EUPEC GMBH, nu onder Infineon Technologies.Het is gebouwd om medium-power aan te kunnen behoeften, waardoor het een betrouwbare keuze is voor industriële motoraandrijvingen, stroom leveringssystemen en hernieuwbare energie -opstellingen.Met zijn geïsoleerde ontwerp, De module helpt het energieverlies te verminderen en verbetert de veiligheid bij hoogspanning schakelen.Het combineert snelle schakelsnelheden met sterke thermische Management, waardoor apparatuur soepel en efficiënt helpt.Of U upgrade uw motorsystemen of bouwt nieuwe energie -oplossingen, Deze module biedt betrouwbare prestaties.

Bestel nu in bulk om uw voorraad te beveiligen en consistente systeemprestaties te ondersteunen.

BSM35GD120DN2 -functies

• Collector-emitter spanning (V_CE): 1.200 V

• Continue collectorstroom (i_C) bij 25 ° C: 50 A

• Verzadigingsspanning van collector-emitter (V_{CE (SAT)}): 2.7 V

• Gate-emitterspanning (V_Ge): ± 20 V

• Pakkettype: Standaard IGBT -modulepakket

BSM35GD120DN2 Maximale beoordelingen

Parameter	Symbool	Waarden	Eenheid
Spanning van de collector-emitter	V_CE	1200	V
Spanning R_Ge = 20 kΩ	V_Cgr	1200
Gate-emitter spanning	V_Ge	± 20
DC -verzamelstroom T_C = 25 ° C	I_C	50	A
T_C = 80 ° C		35
Gepulseerde collectorstroom, tₚ = 1 ms T_C = 25 ° C	I_cpuls	100
T_C = 80 ° C		70
Power -dissipatie per IGBT T_C = 25 ° C	P_peuter	280	W
Chiptemperatuur	T_J	+150	° C
Opslagtemperatuur	T_STG	-40 ... +125	° C
Thermische weerstand, chip case	R_thjc	≤ 0,44	K/W
Diode thermische weerstand, chip case	R_thjcd	≤ 0,8	K/W
Isolatietestspanning, t = 1min.	V_is	2500	Vac
Kruipafstand	-	16	mm
Goedkeuring	-	11	mm
Categorie DIN -vochtigheid, DIN 40 040	-	F	second
IEC klimaatcategorie, DIN IEC 68-1	-	40 / 125/56	second

BSM35GD120DN2 Elektrische kenmerken

Parameter	Voorwaarde	Symbool	Min.	typ.	Max.	Eenheid
Statisch Kenmerken
Gate -drempelspanning	V_Ge = V_CE, I_C = 1,2 ma	V_{GE (TH)}	4.5	5.5	6.5	V
Verzadigingsspanning van collector-emitter	V_Ge = 15 V, i_C = 35 BIJ_J = 25 ° C	V_{CE (SAT)}	-	2.7	3.2	V
Verzadigingsspanning van collector-emitter	V_Ge = 15 V, i_C = 35 BIJ_J = 125 ° C	V_{CE (SAT)}	-	3.3	3.9	V
Nul gate spanningscollectorstroom	V_CE = 1200 V, V_Ge = 0 V, T_J = 25 ° C	/_CES	-	0,6	1	ma
Nul gate spanningscollectorstroom	V_CE = 1200 V, V_Ge = 0 V, T_J = 125 ° C	/_CES	-	2.4	-	ma
Gate-emitter lekstroom	V_Ge = 20 V, V_CE = 0 V	/_GES	-	-	150	NA
AC Kenmerken
Transconductantie	V_CE = 20 V, i_C = 35 A	G_FS	11	-	-	S
Invoercapaciteit	V_CE = 25 v, v_Ge = 0 V, F = 1 MHz	C_ISS	-	2	-	NF
Outputcapaciteit	V_CE = 25 v, v_Ge = 0 V, F = 1 MHz	C_oss	-	0,3	-	NF
Reverse overdrachtscapaciteit	V_CE = 25 v, v_Ge = 0 V, F = 1 MHz	C_RSS	-	0,14	-	NF
Schakel Kenmerken
Vertragingstijd inzetten	V_CC = 600 V, V_Ge = 15 V, i_C = 35 A R_Gon = 39 Ω	T_maffiabaas)	-	60	120	ns
Stijgingstijd	V_CC = 600 V, V_Ge = 15 V, i_C = 35 A R_Gon = 39 Ω	T_R	-	60	120	ns
Vertragingstijd afstappen	V_CC = 600 V, V_Ge = -15 V, i_C = 35 A R_Goffen = 39 Ω	T_{D (UIT)}	-	400	600	ns
Herfst	V_CC = 600 V, V_Ge = -15 V, i_C = 35 A R_Goffen = 39 Ω	T_F	-	50	75	ns
Vrijwiel Diode
Diode voorwaartse spanning	I_F = 35 a, v_Ge = 0 V, t_J = 25 ° C	V_F	-	2.3	2.9	V
Diode voorwaartse spanning	I_F = 35 a, v_Ge = 0 V, t_J = 125 ° C	V_F	-	1.9	-	V
Omgekeerde hersteltijd	I_F = 35 a, v_R = -600 V, V_Ge = 0 V Di_F/dt = -800 a/μs, t_J = 125 ° C	T_RR	-	0,25	-	µs
Omgekeerde herstellading	I_F = 35 a, v_R = -600 V, V_Ge = 0 V Di_F/dt = -800 A/μs T_J = 25 ° C T_J = 125 ° C	Q_RR	-	-	-	µC
Omgekeerde herstellading		Q_RR	-	2 5	-	µC

BSM35GD120DN2 Circuitdiagram

BSM35GD120DN2 Circuit Diagram

Het circuitdiagram toont de interne lay -out van de BSM35GD120DN2, a 3-fase IGBT-module.Het bestaat uit zes IGBT's met freewheeling -diodes Verbonden in een typische configuratie van de Brug -brug.Elke fase been Bevat een hoogzijde en een lage IGBT, die drie halfbruggen vormt totaal.

Pinnen 1–4, 5–8 en 9–12 zijn de poort- en emitterbesturingspennen voor elke IGBT.Pins 1 en 2 besturen bijvoorbeeld één IGBT en pinnen 3 en 4 Controleer het complementaire paar in dezelfde fasebeen.Pinnen 13 en 17 zijn De belangrijkste DC -positieve en DC -negatieve terminals, terwijl pennen 15 en 16, en anderen die met hen zijn verbonden, dienen als de uitvoeraansluitingen voor elk fase.

BSM35GD120DN2 -pakketoverzicht

BSM35GD120DN2 Package Outline

Het verpakkingsdiagram van de BSM35GD120DN2 toont zijn fysieke lay -out en gedetailleerde mechanische dimensies.De module heeft een rechthoekige vorm met een totale lengte van 107,5 mm en een breedte van 45 mm.Het montagegat De afstand is 93 mm horizontaal en 28,4 mm verticaal, waardoor veilig kan worden Bevestiging aan een koellichaam of paneel.

De terminalpennen zijn duidelijk op afstand geplaatst voor eenvoudige identificatie en Verbinding, met gelabelde poort en emitterpennen die op een rij zijn gerangschikt.De Hoogte van de basisplaat tot de bovenkant van de pennen bereikt tot 17,15 mm. Het bevat ook een ingezoomde weergave die het inkeping detail met een 1.15 toont mm slot voor uitlijning of montage.

BSM35GD120DN2 alternatieven

- BSM35GD120DLC

- BSM35GB120DN2

- BSM35GP120

BSM35GD120DN2 -toepassingen

Industriële motoraandrijvingen

Ideaal voor het beheersen van AC -motoren in productie- en automatiseringssystemen, die nauwkeurige snelheid en koppelbeheer bieden.

Power Inverters

Gebruikt in DC-to-AC-conversiesystemen, inclusief die in hernieuwbaar Energieopstellingen zoals zonne- en windenergie, om kracht efficiënt te beheren stroom.

Ononderbreekbare voedingen (UPS)

Zorgt voor continue stroomafgifte tijdens storingen, het handhaven van de werking van kritieke systemen.

Lasapparatuur

Biedt de nodige stroomregeling voor verschillende lasprocessen, waardoor stabiliteit en efficiëntie worden gewaarborgd.

HVAC -systemen

Beheert de werking van verwarmings-, ventilatie- en airconditioningseenheden, wat bijdraagt aan energie-efficiënte klimaatregeling.

BSM35GD120DN2 voor- en nadelen

PROS

Hoogspanning en stroombeoordelingen: Steunt Tot 1200V collector-emitterspanning en 50A continue collector stroom, waardoor het geschikt is voor middelgrote tot krachtige toepassingen.

Geïntegreerde snelle vrije wieldioden: Verbetert de efficiëntie bij inductieve belastingomschakeling door spanningspieken te verminderen.

Efficiënt thermisch beheer: Heeft een lage thermische weerstand (r_thjc ≤ 0,44 k/w) en een geïsoleerde metalen basisplaat, waardoor effectieve warmtedissipatie wordt vergemakkelijkt.

Compact EconoPack ™ 2 -pakket: Biedt een ruimtebesparend ontwerp met vereenvoudigde bevestigings- en elektrische verbindingen.

Robuuste milieutolerantie: Werkt betrouwbaar over een breed temperatuurbereik (-40 ° C tot +125 ° C) en voldoet aan de IEC 68-1-normen voor klimaat uithoudingsvermogen.

Nadelen

Verouderde status: Deze module is stopgezet, wat mogelijk leidt tot uitdagingen bij het inkoop en langdurige ondersteuning.

Beperkte schakelsnelheid: Met een afwijzingsvertragingstijd tot 600 ns, is het mogelijk niet ideaal voor toepassingen die ultrasnelle overstap vereisen.

Matige verzadigingsspanning: Een typische V_{CE (SAT)} van 2,7 V bij 25 ° C zou kunnen leiden tot hogere geleidingsverliezen in vergelijking met nieuwere IGBT -technologieën.

Gewichtsoverweging: Weging ongeveer 180 gram, het kan zwaarder zijn dan sommige moderne Alternatieven, wat een factor kan zijn in gewichtsgevoelige ontwerpen.

Fabrikant

Eupec was een prominente Duits Fabrikant die gespecialiseerd is in krachtige Semiconductor Solutions, inclusief IGBT -modules, thyristors en diodes.EUPEC's toewijding aan Innovatie en kwaliteit maakten het een vertrouwde naam in de krachtelektronica Industrie. In de vroege jaren 2000 werd EUPEC onderdeel van Infineon Technologies AG, een toonaangevend wereldwijd halfgeleiderbedrijf.Dit Acquisitie stond Infineon toe om zijn machtsportfolio uit te breiden halfgeleiderproducten, die de geavanceerde technologieën van EUPEC integreren in zijn aanbod.Als gevolg hiervan gingen veel van de producten van EUPEC door onder de Infineon merk, voor voortdurende ondersteuning en ontwikkeling voor bestaande Klanten.

Conclusie

De BSM35GD120DN2 blijft een vertrouwde oplossing voor veel medium-power Toepassingen, ondanks dat het wordt stopgezet.Zijn combinatie van sterk Elektrische beoordelingen, ingebouwde bescherming en gebruiksvriendelijk ontwerp maakt Het is een go-to-module voor legacy-systemen.Als u reparaties beheert, upgrades of bulk sourcing, het beveiligen van deze module kan helpen bij te houden Prestaties en betrouwbaarheid in uw systemen.