De NTMD6N02R2G is een hoogwaardig dual N-channel MOSFET-transistor, ontworpen door AMI Semiconductor/onsemi, en specifiek ontwikkeld voor geavanceerde elektronische toepassingen die robuuste schakeling en stroombeheer vereisen. Dit oppervlakte-montage component biedt uitstekende elektrische prestaties die geschikt zijn voor veeleisende thermische en elektrische omgevingen, met een bedrijfstemperatuurbereik van -55°C tot 150°C.
Met een logic-level gate-ontwerp levert deze MOSFET efficiënte elektrische prestaties, met een lage R_DS(on) van 35mΩ bij 6A en 4,5V, waardoor nauwkeurige en energiezuinige schakelbewerkingen mogelijk zijn. Het apparaat ondersteunt een maximale drain-naar-bronspanning van 20V en kan continue drainstromen tot 3,92A aan, waardoor het ideaal is voor toepassingen die betrouwbare stroomschakeling en signaalbeheer vereisen.
Het compacte 8-SOIC pakket (0,154
NTMD6N02R2G Belangrijke technische kenmerken
De NTMD6N02R2G MOSFET is ontworpen voor logische schakeltoepassingen en biedt efficiënte stroomhandling met een maximale Rds On van 35 mOhm bij 6A en een Vgs van 4,5 V. Het kan een continue drainstroom van 3,92A aan op 25°C aan en werkt bij temperaturen van -55°C tot 150°C. Dankzij geavanceerde MOSFET-technologie garandeert het snelle schakelingen en betrouwbaarheid.
NTMD6N02R2G Verpakkingsgrootte
Type: Tape & Reel (TR). Materiaal: Encapsulatie 1136. Afmetingen: 8-SOIC (0,154 inch, 3,90 mm breed). Pinconfiguratie: Dubbelschijf N-kanaal. Thermische kenmerken: bedrijfstemperatuur van -55°C tot 150°C. Electrical Properties: Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 6A, 4,5V; drain-naar-bronspanning (Vdss): 20V; continue drainstroom (Id) @ 25°C: 3,92A.
NTMD6N02R2G Toepassing
De NTMD6N02R2G MOSFET wordt toegepast in logische poort- en schakelschema's, ideaal voor stroombeheer in computer- en telecommunicatiesystemen.
NTMD6N02R2G Eigenschappen
Deze MOSFET biedt geavanceerde technologie voor efficiënt vermogen en hoge schakelsnelheid. Met een logische spanning op de poort functioneert hij betrouwbaar onder 20V drain-naar-bronspanning en heeft een maximale poortlading van 20nC bij 4,5V. Het apparaat ondersteunt een continue drainstroom tot 3,92A bij 25°C en heeft een brede bedrijfstemperatuurbereik van -55°C tot 150°C. De constructie biedt duurzaamheid en hoge betrouwbaarheid.
NTMD6N02R2G Kwaliteit en veiligheidskenmerken
De NTMD6N02R2G MOSFET voldoet aan strenge industrienormen voor kwaliteit en veiligheid, wat betrouwbaarheid en langdurige prestaties garandeert.
NTMD6N02R2G Compatibiliteit
Dit type MOSFET is uitgerust met een oppervlakte-montage constructie en conform de afmetingen en pinconfiguratie van een 8-SOIC verpakking, waardoor het compatibel is met standaard elektronische assemblage- en PCB-ontwerpen.
NTMD6N02R2G Datasheet PDF
Voor uitgebreide technische specificaties, gebruiksaanwijzingen en installatie-instructies kunt u de officiële datasheet downloaden via onze website. Wij adviseren om het rechtstreeks van de productpagina te halen voor de meest recente en nauwkeurige informatie.
Kwaliteitsdistributeur
Als vooraanstaande distributeur van AMI Semiconductor/onsemi producten biedt IC-Components exclusieve deals en de beste service. Vraag vandaag nog een competitieve prijs aan voor de NTMD6N02R2G via onze website en versterk uw inkoopketen met hoogwaardige elektronische componenten van een betrouwbare leverancier.
