Versnel de ontwikkeling en lancering van geavanceerde oplossingen van power gallium nitride; volledig gebruik maken van de expertise van ST op het gebied van de automobielmarkt en de toonaangevende productietechnologie van TSMC; de energie-efficiëntie van brede bandgap-producten verbeteren en energieomzettingsapplicaties energie-efficiënter maken
Op 24 februari werkten STMicroelectronics en TSMC samen om de ontwikkeling van gallium nitride (GaN) procestechnologie en de levering van GaN discrete en geïntegreerde apparaten te versnellen. Door deze samenwerking zullen de innovatieve strategische galliumnitride-producten van ST gebruikmaken van het toonaangevende GaN-productieproces van TSMC.
镓 Gallium nitride (GaN) is een halfgeleidermateriaal met brede bandafstand. In vergelijking met traditionele silicium power halfgeleiders heeft het duidelijke voordelen. Het heeft bijvoorbeeld een hogere energie-efficiëntie bij het werken op hoog vermogen, wat het parasitaire vermogensverlies aanzienlijk vermindert. GaN-technologie kan ook compactere apparaten ontwerpen, waardoor de doeltoepassing een betere vormfactor krijgt. Bovendien is de schakelsnelheid van galliumnitrideapparaten 10 keer die van siliciumapparaten, en tegelijkertijd is de piekbedrijfstemperatuur hoger. Deze robuuste en sterke materiaaleigenschappen maken galliumnitride zeer geschikt voor de groeiende 100V en 650V automotive, industrie, telecommunicatie en specifieke consumenten- en andere toepassingen.
In het bijzonder zal STMicroelectronics, in vergelijking met siliciumtechnologie op basis van dezelfde topologie, de technologie van power gallium nitride en gallium nitride IC in staat stellen klanten betere energie-efficiënte oplossingen te bieden voor middelgrote tot krachtige toepassingen, inclusief hybride en elektrische voertuigen. Power converter en lader. Power gallium nitride en gallium nitride IC-technologie zullen bijdragen tot de snelle ontwikkeling van de elektrificatie van personenauto's en bedrijfsvoertuigen.
Marco Monti, President van Automotive and Discrete Devices, STMicroelectronics, zei: "Als leider in de veeleisende automotive en industriële brede bandgap halfgeleidertechnologie en power halfgeleiderindustrie, is STMicroelectronics optimistisch over het versnellen van de ontwikkeling en levering van gallium nitride procestechnologie, de enorme kansen die worden geboden door de introductie van gallium nitride en gallium nitride IC-producten op de markt. TSMC is een vertrouwde gieterijpartner en alleen zij kunnen voldoen aan de unieke vereisten voor betrouwbaarheid en ontwikkelingsplanning van de doelklanten van ST. "Dit samenwerkingsproject vormt een aanvulling op onze productiecapaciteit voor de productie van power gallium nitride in samenwerking met CEA-Leti in de fabriek in Tours, Frankrijk. GaN is de volgende belangrijke innovatie in power en smart power electronics en procestechnologie. "
"We verheugen ons op de samenwerking met STMicroelectronics om galliumnitride-vermogenselektronica-technologie toe te passen voor industriële en automotive stroomomzettingssysteemtoepassingen. TSMC's toonaangevende expertise in de productie van galliumnitride, gecombineerd met ST's productontwerp en automotive-certificering zal de energie aanzienlijk verbeteren efficiëntie van industriële en automotive stroomconversie, het energie-efficiënter en milieuvriendelijker maken en helpen bij het versnellen van het elektrificatieproces van auto's. "
Het is gemeld dat STMicroelectronics naar verwachting later dit jaar de eerste monsters van discrete apparaten met krachtige galliumnitride aan grote klanten zal leveren en vervolgens binnen een paar maanden GaN IC-producten zal leveren.